后EL

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前EL十字交叉印记判定标准，错误的是

A.密集型：Gd≤30%，Q≤7%HCB.密集型：30＜Gd≤35%，Q≤5%HCC. 密集型：35＜Gd≤40%，Q≤3%HCD. 密集型：Gd＞35%，不允许

连续几块同种类型的不良需要通知工艺排查？

A、2B、3C、4D、5

对于不确定的不良，如何判定？

A、判定OKB、判定NGC、堆栈满打OKD、堆栈空打NG

汇流条连接的电池片虚焊卡控标准？

A、2片B、3片C、4片D、不允许

焊带缺失导致的轻微虚焊卡控标准？

A、2片B、3片C、4片D、不允许

电池片局部发亮且主栅线无法看清,如何判定？

A、判定OKB、判定NGC、堆栈满打OKD、堆栈空打NG

针对电池片损伤，以下说法正确的是（D：深度，H：高度）

A. U字形缺角，不允许B. 崩边：L≤3mm，D≤1mm，每个半片允许有2处，每块组件允许6个半片C. V字型缺角，不允许D. V字形缺角：L≤3mm，H≤1mm，≤2处/片，≤2片/组件

前EL黑边判定标准，正确的是（Sp：电池片内单个缺陷的跨度/长度）

A.Sp≤1/15，数量不计B.1/15＜Sp≤1/10，Q≤5%HCC. Sp＞1/15，不允许D. 1/15＜Sp≤1/10，Q≤3%HC

前EL线状隐裂判定标准，正确的是（L：整篇电池片边长，q：电池片内单个缺陷的数量，Q：组件内缺陷电池片的数量）

A.L≤1/3L（电池片长度），q≤1，60pcs版型Q≤2pcsB.L≤1/3L（电池片长度），q≤1，72pcs版型Q≤2pcsC. 带有失效面积的隐裂不允许D. L≤1/3L（电池片长度），q≤1，72pcs版型Q≤2pcs

前EL虚焊判定标准，正确的是（TA：单个半片电池缺陷区域的累计面积，S：单片电池片面积，HC：单个组件的电池半片数量）

A.TA≤10%S，Q≤5%HC，允许B.整根虚焊不允许C.10%S＜TA≤15%S，Q≤3%HC，允许D. TA＞15%S，不允许

带有失效面积的交叉隐裂不允许

A.错B.对

电池片划伤长度≤主栅线间距，忽略不计

A.错B.对

黑团片Gd＞60%，允许

A.错B.对

N型SMBB卡槽印记未触及栅线允许

A.错B.对

十字交叉印记单点型：5mm＜Sp≤30mm，q≤5，Q≤7%HC

A.错B.对

N型SMBB同心园不允许

A.错B.对

贯穿线痕不允许

A.错B.对

细栅高度差EL阴影（N型SMBB）单片电池片内G的≤30%，数量不计

A.错B.对

树状隐裂不允许

A.错B.对

细栅高度差EL阴影（N型SMBB）单片电池片内G的＞30%，不允许

A.错B.对

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