半导体芯片制作工高级考试

欢迎参加本次半导体芯片制作工高级考试，请认真作答以下题目。
1. 基本信息：
姓名：
工号：
所在部门：
2. 作为一名高级半导体芯片制作工，当你发现同事为了提升产量，未按规程操作，绕过了某道在线检测工序。此时，你最恰当的做法是
3. 公司在推进一项重要的技术攻关项目，你凭借丰富的经验提出了一种创新方案，但项目负责人最终采纳了另一位工程师的方案。此时，你应该
4. 某竞争对手企业以高薪职位邀请你加入，并希望你能提供原公司的某项核心工艺参数。面对这种情况，符合职业道德的做法是
5. 在指导一名新员工操作精密设备时，他多次操作失误，险些造成设备故障。此时，你最应该采取的态度是
6. 半导体技术发展迅速，新工艺、新材料不断涌现。作为一名高级工，对待持续学习应有的态度是
7. 热氧化生长SiO₂时，干氧氧化法与湿氧氧化法相比
8. 在光刻工艺中，将掩膜版上的图形转移到光刻胶上的设备是
9. 在i-line光刻中，使用的光源是
10. 下列哪项不是影响光刻工艺分辨率的主要因素
11. 在显影后检查中发现光刻图形边缘有毛刺，最可能的原因是
12. 干法刻蚀主要是利用什么与材料发生物理或化学反应来实现图形转移
13. 下列哪种干法刻蚀方法具有明显的各向异性刻蚀特性
14. 湿法刻蚀最主要的缺点是
15. 离子注入工艺中，用来控制掺杂深度的是
16. 离子注入后必须进行退火处理，其主要目的不包括
17. 扩散工艺中，杂质分布主要由什么决定
18. 在CMOS工艺中，制作P阱的典型工艺顺序是
19. 用于互连线的金属材料，最重要的要求是
20. 在多层金属互连结构中，层间介质（ILD）的主要作用是
21. 铜互连工艺采用双大马士革结构，其主要优点是
22. 在半导体器件中，PN结形成的根本原因是
23. 一台等离子体刻蚀机的真空系统主要由机械泵和分子泵组成，开机时正确的操作顺序是
24. 在半导体洁净室中，控制颗粒污染的最主要途径是
25. 下列气体中，属于半导体工艺中常用的反应气体的是
26. 在芯片制造中，测量薄膜厚度的常用仪器是
27. 一台关键的工艺设备频繁出现“真空度不达标”警报，作为高级工，你首先应该检查
28. 在晶圆允收测试（WAT）中，四探针测试仪主要用于测量
29. 光刻机物镜的数值孔径（NA）增大，会带来
30. 热预算（Thermal Budget）在先进工艺中是一个关键概念，它主要指
31. 下列哪种缺陷是在CMP工艺中最需要关注的
32. 在半导体制造中，统计过程控制（SPC）的核心是监控工艺参数的
33. 进行反应离子刻蚀（RIE）时，在工艺气体中加入氩气（Ar）的主要目的是
34. 一台PECVD设备沉积的氮化硅薄膜应力由张应力变为压应力，最可能的原因是
35. 在先进光刻技术中，采用移相掩膜版（PSM）的主要目的是
36. 超浅结的形成通常采用
37. 半导体器件的可靠性测试中，HTGB（High Temperature Gate Bias）测试主要用于评估
38. 在芯片的最终测试中，一个芯片的功能测试通过，但功耗超过规格，最可能的原因是
39. 下列哪项技术不属于前道（FEOL）工艺
40. 在半导体制造业中，OEE（Overall Equipment Effectiveness）是衡量设备效率的关键指标，它不包括
41. 在处理硅烷（SiH₄）时，最大的安全风险是
42. 晶圆的晶向通常用密勒指数表示，MOS器件通常制作在什么晶向的硅片上
43. 外延生长工艺中，通过在衬底上生长一层高阻外延层，可以实现
44. 在VLSI中，浅槽隔离（STI）技术取代了传统的LOCOS技术，主要是因为STI
45. 高介电常数（High-k）材料被引入作为栅极介质，主要是为了解决
46. 金属栅工艺取代多晶硅栅，主要是为了与High-k介质匹配，消除
47. 在化学气相沉积（CVD）反应中，描述气体在晶圆表面发生化学反应并沉积成膜的步骤称为
48. 一台刻蚀设备的生产节拍（Throughput）下降，同时刻蚀速率也变慢，最可能的原因是
49. 在半导体器件中，载流子的迁移率主要受什么影响
50. 用于检测晶圆表面微小颗粒和缺陷的常用仪器是
51. 在工艺研发阶段，为了快速定位工艺问题，最有效的分析方法是
52. 半导体工艺中使用的超纯水，其电阻率通常要求达到多少以上
53. 一个NMOS晶体管的阈值电压（Vth）在工艺监控中发现正向漂移，可能的原因是
54. 在离子注入机的日常维护中，需要定期更换的消耗品是
55. 光刻胶的对比度（Contrast）越高，意味着
56. 在半导体制造中，采用Cluster Tool（集群设备）的主要优势是
57. 下列哪种参数通常不作为工艺控制监控（PCM）的在线测试项目
58. 当发现某一工艺步骤的CPK（过程能力指数）值持续低于1.33，说明
59. 在刻蚀工艺终点检测中，最常用的方法是
60. 半导体器件的失效分析中，液晶热点检测（Liquid Crystal Hot Spot Detection）主要用于定位
61. 作为半导体芯片制作高级工，在面对一个复杂的工艺整合问题时，首先应该
62. 在先进制程中采用浅槽隔离（STI）技术替代局部氧化隔离（LOCOS）技术，主要是因为STI具有哪些优势
63. 低k介质材料被引入后道互连工艺中，其主要目的是为了降低什么，从而提升芯片性能
64. 在反应离子刻蚀（RIE）中，下列哪些参数可以用来调控刻蚀的各向异性
65. 离子注入后的退火处理，其主要作用包括哪些
66. 化学机械抛光（CMP）工艺中，可能引入的缺陷包括哪些
67. 高k金属栅（HKMG）技术取代传统的多晶硅/SiO₂栅结构，主要解决了哪些核心问题
68. 下列哪些是衡量一个工艺步骤处于统计过程控制（SPC）状态下的标志
69. 在先进光刻中，采用移相掩膜版（PSM）和离轴照明（OAI）等分辨率增强技术，其主要目的是为了增大什么
70. 形成超浅结（USJ）的典型工艺组合是
71. 在半导体制造中，集群设备（Cluster Tool）的应用带来了哪些主要优势
72. 进行物理失效分析（PFA）时，常用的分析技术组合包括
73. 导致晶体管阈值电压（Vth）发生漂移的工艺因素可能包括
74. 在干法刻蚀的终点检测中，光学发射光谱（OES）是通过监测什么来判断终点的
75. 下列哪些材料或系统在半导体制造中被归类为关键性物料（Critical Material）
76. 一台刻蚀设备的生产节拍（Throughput突然下降，可能的原因有
77. 在28nm及以下技术节点，后道互连工艺面临的主要挑战包括
78. 快速热退火（RTP）相比于传统炉管退火，其技术特点包括
79. 作为高级工艺工程师，在接手一个良率持续偏低的产品时，系统化的分析思路应包括
80. 在半导体Fab中，对于剧毒、易燃易爆气体（如SiH₄, PH₃）的安全管理措施包括
81. 对于高级半导体芯片制作工而言，除了技术能力，下列哪些软技能同样至关重要
82. 在直拉法（CZ）单晶生长中，通过掺入三价元素硼可以获得N型硅单晶
83. 化学机械抛光（CMP）的主要目的是为了获得完美的晶体结构
84. 低压化学气相沉积（LPCVD）相比常压CVD（APCVD），通常能获得更好的薄膜均匀性和台阶覆盖能力
85. 干氧氧化法生长SiO₂的速率比湿氧氧化法快，因此常用于生长较厚的场氧层
86. 在光刻工艺中，曝光步骤是将掩膜版上的图形转移到光刻胶上的关键步骤
87. 湿法刻蚀由于其各向同性的特性，在亚微米以下的精细图形刻蚀中具有广泛应用
88. 离子注入后的退火处理，其目的之一是修复高能离子对硅晶格造成的损伤
89. 在CMOS工艺中，制作N阱和P阱的光刻和离子注入工序是可以互换顺序的，对最终器件性能没有影响
90. 铜互连采用双大马士革结构，主要是因为铜金属难以通过干法刻蚀进行图形化
91. 一台等离子体刻蚀机开机时，应先启动分子泵，再启动机械粗抽泵
92. 在半导体洁净室中，控制颗粒污染的最主要方法是精确控制室内的温度和湿度
93. 四探针测试仪主要用于测量半导体薄膜的方块电阻
94. 反应离子刻蚀（RIE）是单纯的化学性刻蚀，不具有物理轰击作用
95. 热预算（Thermal Budget）是指热处理设备在购买和运行中所消耗的总成本
96. 统计过程控制（SPC）的核心目的是消除生产过程中所有的波动
97. 光学发射光谱（OES）是用于干法刻蚀终点检测的常用方法
98. 对于高级技工而言，当发现一个复杂的工艺整合问题时，首先应该调整所有可能相关的工艺参数进行试验
99. 硅烷（SiH₄）是一种剧毒气体，操作时必须主要防范其中毒风险
100. 在培养新人时，为了效率和保证产品质量，高级工最好亲自操作关键步骤，只让新人观看
101. 作为一名高级技工，只要技术过硬，不需要关注行业新技术的发展，也能一直保持竞争力
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