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1、PN结形成初期，载流子发生扩散运动的根本原因是（）。

A、交界面两侧存在载流子浓度差B、外加电压产生强电场C、金属电极吸引载流子D、晶圆高速旋转

2、关于PN结耗尽层的描述，正确的是（）。

A、其中充满可自由移动的电子和空穴B、其中主要留下固定的离化杂质离子C、其中没有任何电荷D、它完全由金属材料构成

3、平衡PN结内建电场的方向是（）。

A、从P区指向N区B、从N区指向P区C、从金属电极指向衬底D、方向随时间周期变化

4、热平衡时PN结的总电流为零，主要原因是（）。

A、载流子完全停止运动B、耗尽层中不存在电场C、扩散电流与漂移电流大小相等、方向相反D、电子和空穴的数量均为零

5、关于肖特基接触与欧姆接触，下列说法正确的是（）。

A、肖特基接触由金属与半导体形成，并具有整流特性B、欧姆接触追求双向低电阻导电C、接触区重掺杂有利于形成欧姆接触D、欧姆接触的目的就是形成较高势垒E、MESFET的金属栅极与沟道之间可形成肖特基结

6、半导体制造中进行外延生长的主要目的之一是（）。

A、在衬底上形成掺杂类型或浓度可控的晶体层B、把金属导线全部去除C、把晶圆研磨成非晶体D、只改变晶圆的外形尺寸

7、液相外延LPE的典型特点是（）。

A、设备简单、成本较低，但外延层控制和质量相对有限B、控制精度最高，但产量很低C、只能用于硅材料D、必须在超高真空中进行

8、分子束外延MBE最突出的优势是（）。

A、设备最简单且成本最低B、可以精确控制超薄层、掺杂深度和异质界面C、只需要加热溶液即可生长D、产量最高，最适合所有大批量产品

9、MOVPE与其他气相外延技术相比，一个重要特点是（）。

A、属于冷壁工艺，主要控制衬底温度B、必须把整个反应炉加热到熔化C、不需要任何气态源材料D、只能制造金属互连层

10、常见光学掩模版的基本结构是（）。

A、石英玻璃基片上形成图案化铬层B、铜片上覆盖厚硅层C、光刻胶直接涂在金属引线上D、纸质基片上印刷图案

11、关于1X整版掩模和5X或10X单片版掩模，正确的是（）。

A、1X整版掩模只包含一个放大的芯片图案B、5X或10X单片版通常配合步进曝光，把一个芯片图案重复转移到晶圆上C、两者都只能用于电子束直写D、5X或10X表示晶圆直径扩大5或10倍

12、关于电子束制版，下列说法正确的是（）。

A、电子波长短，可获得较高分辨率B、既可制造掩模，也可用于直写光刻C、设备和制版费用较高D、必须使用可见光完成曝光E、其主要优势是精度低、速度慢

13、集成电路制造中，光刻工艺的核心作用是（）。

A、把掩模图形转移到晶圆表面的光刻胶上B、直接提高硅的纯度C、把晶圆熔化后重新结晶D、测量芯片封装尺寸

14、其他条件近似不变时，旋涂光刻胶的转速提高，胶膜通常会（）。

A、变厚B、变薄C、厚度完全不变D、立即变成金属膜

15、正性光刻胶与负性光刻胶显影后的差别是（）。

A、正胶曝光区被去除，负胶未曝光区被去除B、正胶未曝光区被去除，负胶曝光区被去除C、两者曝光区都一定保留D、两者均不需要显影

16、下列光刻基本流程顺序正确的是（）。

A、曝光→涂胶→清洗→显影B、清洗脱水→涂胶前烘→曝光→显影清洗干燥C、显影→刻蚀→涂胶→曝光D、涂胶→封装→曝光→测试

17、接触式曝光的主要代价是（）。

A、掩模与晶圆接触容易造成磨损和污染B、完全无法获得清晰图形C、不需要掩模版D、只能使用电子束作为光源

18、缩小投影曝光系统中的母版reticle通常怎样在晶圆上成像（）。

A、图案经过透镜组缩小约5至10倍后投影到晶圆B、掩模必须紧压在晶圆表面C、图案被无限放大后投影D、不经过任何光学系统直接接触复制

19、二氧化硅SiO₂在硅集成电路制造中的作用包括（）。

A、作为栅极绝缘层B、作为制造过程中的保护层C、形成场氧以隔离器件区域并承载后续互连D、作为高导电性的金属互连E、直接充当N型掺杂杂质

20、集成电路制造中，淀积工艺需要形成的材料层通常包括（）。

A、多晶硅、层间绝缘材料和金属互连层B、只有液态水膜C、只有光刻胶，且不再去除D、只形成晶圆包装材料

21、反应离子刻蚀RIE具有较好方向性的主要原因是（）。

A、正离子受带负电基板吸引，近似垂直轰击晶圆B、刻蚀液依靠毛细作用横向流动C、晶圆表面没有电场D、只使用手工机械切削

22、当接触孔尺寸很小时，湿法刻蚀可能遇到的主要问题是（）。

A、小窗口难以充分浸润，反应产物也不易排出B、正离子轰击会使晶格严重损伤C、掩模一定会被电子束烧毁D、晶圆无法放入任何溶液

23、热扩散掺杂中决定杂质扩散程度的两个关键工艺参数是（）。

A、温度和时间B、光照颜色和晶圆直径C、金属线宽和封装材料D、掩模价格和设备重量

24、关于离子注入工艺，下列说法正确的是（）。

A、可通过剂量和能量较精确地控制掺杂B、适合形成较浅的掺杂区域C、注入阶段温度较低，光刻胶可作为掩模D、高剂量注入也不会造成任何晶格损伤E、设备成本高，高剂量时可能造成晶格损伤

25、“双极型硅技术”是指（）。

A、用硅制造以BJT为核心器件，并由电子和空穴共同参与导电的技术B、把硅分成正负两块的封装技术C、只使用单一载流子的MOS技术D、只制造金属电阻的工艺

26、早期双极型硅NPN工艺中，限制器件性能的主要寄生因素包括（）。

A、较大的基区体电阻B、较大的集电极串联电阻C、较大的集电极寄生电容D、光刻胶旋涂速度过低E、封装外壳颜色不一致

27、HBT采用异质结后，可以把基区做得较薄并适当重掺杂，其直接效果是（）。

A、缩短载流子通过基区的时间，提高截止频率B、使所有PN结完全消失C、使器件不再需要发射极D、把半导体变成绝缘体

28、SiGe HBT在集成电路工艺中的一个重要优势是（）。

A、可以与先进CMOS结合形成SiGe BiCMOSB、只能用于液相外延实验C、无法与硅工艺兼容D、只能制造低速机械开关

29、GaAs MESFET中，栅极以及源漏电极通常分别采用哪种接触（）。

A、栅极为肖特基接触，源漏为欧姆接触B、栅极为欧姆接触，源漏为肖特基接触C、三者都必须是PN结接触D、三者都与半导体完全绝缘

30、关于MESFET与HEMT，下列说法正确的是（）。

A、MESFET可以直接在外延衬底上形成B、HEMT通常具有更复杂的层状结构C、两者对电路设计者都属于场效应晶体管类型D、HEMT必然采用与MOSFET完全相同的氧化层绝缘栅E、减小栅长通常有利于提高速度，但会提高制造难度

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